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分立半导体
DMN2990UFZ-7B参考图片

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DMN2990UFZ-7B

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V N-Ch Enh FET Dual .25A .32W 389pF
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数量单价合计
1
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10
¥2.4521
24.521
100
¥1.13
113
1,000
¥0.86784
867.84
10,000
¥0.67574
6757.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X2-DFN0606-3
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
250 mA
Rds On-漏源导通电阻
990 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
320 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN2990
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
180 mS
下降时间
7.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.1 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
3.5 ns
商品其它信息
优势价格,DMN2990UFZ-7B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
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1:¥3.4578
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