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分立半导体
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TTA1943(Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 150W -15A 80 HFE -3V -230V
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库存：2,243(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.2101
21.2101
10
¥17.063
170.63
100
¥13.673
1367.3
500
¥11.9893
5994.65
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
2-21F1A-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 230 V
集电极—基极电压 VCBO
- 230 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 3 V
最大直流电集电极电流
- 15 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TTA1943
直流电流增益 hFE 最大值
160
封装
Bulk
商标
Toshiba
集电极连续电流
- 15 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
Pd-功率耗散
150 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
5.500 g
商品其它信息
优势价格，TTA1943(Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF8P29300HR6
NXP / Freescale
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230
150:¥2,665.8847
参考库存:27631
AS3BJHM3_A/I
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 3A,600V, SMB, Avalanch STD SM RECT
6,400:¥1.1978
12,800:¥1.11418
25,600:¥1.05994
参考库存:27634
MRFE6VP6600NR3
NXP / Freescale
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥642.3033
参考库存:27637
BZX79-B62,113
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT
10,000:¥0.22261
20,000:¥0.20001
50,000:¥0.17628
100,000:¥0.14577
参考库存:27640
1N3645
Semtech
分立半导体
整流器 D MET 250MA STD 2KV
1:¥98.5812
10:¥89.5977
25:¥82.9081
50:¥78.4559
参考库存:27643
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