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分立半导体
IRLI530NPBF参考图片

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IRLI530NPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 100V 11A 100mOhm 22.7nC LogLv
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数量单价合计
1
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9.4468
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.2376
623.76
500
¥5.5144
2757.2
1,000
¥4.3618
4361.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
22.7 nC
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001573830
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRLI530NPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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500:¥6.3054
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50,000:¥1.10627
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