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分立半导体
BSC025N03MS G参考图片

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BSC025N03MS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
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库存:5,268(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.7631
77.631
100
¥6.0116
601.16
500
¥5.311
2655.5
1,000
¥4.1923
4192.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
6.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
27 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
28 S
下降时间
2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
4.3 ns
零件号别名
BSC025N03MSGATMA1 BSC25N3MSGXT SP000311505
商品其它信息
优势价格,BSC025N03MS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER
20,000:¥0.71416
50,000:¥0.63732
100,000:¥0.59212
参考库存:22186
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V 160A Schottky Recovery
40:¥463.8876
80:¥454.2826
120:¥438.8355
参考库存:22189
分立半导体
稳压二极管 .25W 5% Lw Noise/Lvl
10,000:¥1.3447
20,000:¥1.2769
50,000:¥1.243
参考库存:22192
分立半导体
整流器 1A, 50V, SUPER FAST SM RECTIFIER
20,000:¥0.68365
50,000:¥0.60681
100,000:¥0.56839
参考库存:22195
分立半导体
整流器 1200V 200A Si Super Fast Recovery
18:¥788.2202
36:¥751.4952
54:¥736.0481
108:¥709.4592
参考库存:22198
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