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分立半导体
PHD13005,127参考图片

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PHD13005,127

  • WeEn Semiconductors
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR NPN BIPO 700V
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4.3053
10
¥3.4239
34.239
100
¥2.147
214.7
1,000
¥1.6159
1615.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
集电极—射极饱和电压
0.3 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
40
商标
WeEn Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
Pd-功率耗散
75 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
934064308127
单位重量
1.800 g
商品其它信息
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10,000:¥6.3506
参考库存:36100
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