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分立半导体
STB28NM50N参考图片

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STB28NM50N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
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库存:4,984(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥45.5616
45.5616
10
¥38.7251
387.251
100
¥33.5045
3350.45
250
¥31.8095
7952.375
1,000
¥24.0464
24046.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
158 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
50 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB28NM50N
晶体管类型
1 N-Channel
类型
N-Channel MDmesh II Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
下降时间
52 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
13.6 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB28NM50N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR 12A High Temp Thyristor
1:¥16.2155
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.2208
1,000:¥7.571
参考库存:3770
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥8.1473
10:¥6.9721
100:¥5.3562
500:¥4.7347
1,000:¥3.7403
参考库存:6216
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 Fast Recvry 600V Vr TO-252(DPAK) 3A Io
1:¥6.3732
10:¥5.3223
100:¥3.4239
1,000:¥3.1414
2,500:¥2.8589
参考库存:5536
分立半导体
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.5484
500:¥6.667
1,500:¥4.6669
9,000:查看
参考库存:4942
分立半导体
MOSFET T6 40V HEFET
1:¥27.7415
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.3682
1,500:¥14.6787
参考库存:8092
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