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分立半导体
STB28NM50N参考图片

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STB28NM50N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
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数量单价合计
1
¥45.5616
45.5616
10
¥38.7251
387.251
100
¥33.5045
3350.45
250
¥31.8095
7952.375
1,000
¥24.0464
24046.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
158 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
50 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB28NM50N
晶体管类型
1 N-Channel
类型
N-Channel MDmesh II Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
下降时间
52 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
13.6 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STB28NM50N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZG03B62-HM3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.5594
12,000:¥1.4577
24,000:¥1.3786
参考库存:32309
BYM12-50HE3_A/I
Vishay Semiconductors
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10,000:¥0.92999
25,000:¥0.85315
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VS-ST333S08PFL0
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12:¥1,389.0412
30:¥1,369.5939
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V6KL45DUHM3/I
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Microsemi
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1,500:¥6.328
4,500:¥6.102
9,000:¥5.8647
参考库存:32321
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