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分立半导体
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BSC052N03LS

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数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.6613
56.613
100
¥3.6499
364.99
1,000
¥2.9154
2915.4
5,000
¥2.9154
14577
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
57 A
Rds On-漏源导通电阻
5.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
28 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
38 S
下降时间
2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 nS
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 nS
典型接通延迟时间
2.4 ns
零件号别名
BSC052N03LSATMA1 BSC52N3LSXT SP000807602
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，BSC052N03LS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBR30045CT
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 45V 300A Schottky Recovery
1:¥580.8313
5:¥569.6104
10:¥545.564
25:¥520.9752
参考库存:2466
CMPZ5232B TR
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 350mW Zener Diode 5.32V to 5.88V
1:¥4.4522
10:¥2.5199
100:¥1.08367
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.63054
参考库存:13119
BZT52C4V7S RR
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 4.7 Volt 200mW 5%
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥1.02943
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.28476
参考库存:5705
BAS16X-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 200mA 75V
1:¥1.8419
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
8,000:¥0.22261
24,000:查看
参考库存:27629
IRG4PC50UDPBF
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz
1:¥68.3876
10:¥61.7771
25:¥58.9408
100:¥51.1777
参考库存:4164
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