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分立半导体
IRFH8316TRPBF参考图片

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IRFH8316TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 4.7nC Qg, PQFN5x6
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库存：6,775(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.7178
57.178
100
¥3.6838
368.38
1,000
¥2.9493
2949.3
4,000
¥2.9493
11797.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
27 A
Rds On-漏源导通电阻
2.95 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
59 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.6 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.83 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
69 S
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
67 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
SP001565956
商品其它信息
优势价格，IRFH8316TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TD210N12KOF
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块 1200V 410A
1:¥1,068.302
5:¥1,047.2501
10:¥998.4567
25:¥977.4839
参考库存:2055
FGI3236-F085
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
IGBT 晶体管 EcoSPARK 320mJ 360V N-Chan Ignition
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.8311
参考库存:2454
SIR416DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.6218
500:¥5.7065
3,000:¥5.7065
参考库存:7556
BC859BW,115
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.3786
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:3016
VS-VSKT105/16
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 1600 Volt 105 Amp 2094 Amp IFSM
1:¥374.595
5:¥364.6058
10:¥350.4695
参考库存:2071
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