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分立半导体
SI5504BDC-T1-GE3参考图片

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SI5504BDC-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI5513CDC-T1-GE3
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数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.4184
64.184
100
¥4.9268
492.68
500
¥4.2375
2118.75
1,000
¥3.3448
3344.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ChipFET-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4 A, 3.7 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms, 140 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.12 W, 3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.05 mm
系列
SI54
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
5 S, 3.5 S
下降时间
25 ns, 10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
80 ns, 60 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns, 10 ns
典型接通延迟时间
15 ns, 30 ns
单位重量
85 mg
商品其它信息
优势价格,SI5504BDC-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 10A 1000V
1:¥6.3054
10:¥5.763
100:¥4.4522
500:¥3.2996
参考库存:21502
分立半导体
稳压二极管 Zener 410mW 2% 8V2
1:¥2.0792
10:¥1.8419
100:¥1.04525
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.33787
参考库存:21505
分立半导体
整流器 8A, 400V, GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER
1:¥3.842
10:¥3.2318
100:¥2.4182
500:¥1.7741
1,000:¥1.3334
3,000:¥1.2317
参考库存:21508
分立半导体
整流器 12A, 1000V, SMD RECTIFIER
1:¥4.4522
10:¥3.7629
100:¥2.8363
250:¥2.4634
850:¥1.5594
1,700:查看
参考库存:21511
分立半导体
稳压二极管 3W,180V,5%,ZENER,SMB
1:¥4.7686
10:¥2.7685
100:¥2.2035
500:¥1.3108
3,000:¥0.87575
9,000:查看
参考库存:21514
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