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分立半导体
DMP56D0UFB-7B参考图片

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DMP56D0UFB-7B

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET P-CH ENHANCEMENT MODE MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.5764
25.764
100
¥1.1865
118.65
1,000
¥0.90626
906.26
10,000
¥0.70738
7073.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X1-DFN1006-3
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
580 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
425 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP56
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
100 mS
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.63 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21.9 ns
典型接通延迟时间
4.46 ns
商品其它信息
优势价格，DMP56D0UFB-7B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMSZ4686-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.9 Volt 0.5W 5%
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
3,000:¥0.35369
6,000:查看
参考库存:13340
BZX55B9V1-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 9.1 Volt 0.5W 2%
1:¥1.921
10:¥1.5933
100:¥0.67574
500:¥0.56048
10,000:¥0.24634
20,000:查看
参考库存:27066
APT200GN60B2G
Microsemi
分立半导体
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
1:¥171.2741
参考库存:1240
MMSZ5258B-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 36V 500mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:11685
MMBZ5233B-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 350MW 6.0V
1:¥1.4577
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:9152
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