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分立半导体
FP15R12W1T4参考图片

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FP15R12W1T4

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库存:4,790(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥295.7549
295.7549
5
¥292.7604
1463.802
10
¥272.8611
2728.611
25
¥260.5667
6514.1675
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
28 A
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FP15R12W1T4BOMA1 SP000364071
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格,FP15R12W1T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
1:¥2.9945
10:¥2.5312
100:¥1.5481
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02152
参考库存:16023
分立半导体
MOSFET AUTO 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms
1:¥16.2946
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.6841
参考库存:5997
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥5.8421
10:¥4.8816
100:¥3.1527
1,000:¥2.5199
5,000:¥2.1244
参考库存:5806
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Complementary power transistors
1:¥20.1366
10:¥17.1308
100:¥13.673
500:¥11.9893
参考库存:4087
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL MATCHED NPN XSTR 45V
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:8290
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