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分立半导体
SI5403DC-T1-GE3参考图片

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SI5403DC-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
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库存:7,811(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.9891
7.9891
10
¥6.6444
66.444
100
¥5.0963
509.63
500
¥4.3844
2192.2
3,000
¥4.3844
13153.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ChipFET-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.05 mm
系列
SI54
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SI5403DC-GE3
单位重量
85 mg
商品其它信息
优势价格,SI5403DC-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -80Vceo
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:6775
分立半导体
稳压二极管 300mW 5.6V Zener AEC-Q101 Qualified
1:¥1.4577
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:72161
分立半导体
MOSFET CONSUMER
1:¥8.4524
10:¥7.232
100:¥5.5483
500:¥4.9155
1,000:¥3.8759
参考库存:9494
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x5A
1:¥86.5241
100:¥72.0714
500:¥61.7771
1,000:¥54.0931
参考库存:5178
分立半导体
MOSFET 100V N ch MOSFET
1:¥34.4198
10:¥30.962
100:¥25.3572
250:¥23.7413
500:¥21.5943
参考库存:3227
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