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分立半导体
FGA40T65SHD参考图片

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FGA40T65SHD

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库存:1,801(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.883
32.883
10
¥27.9675
279.675
100
¥24.2837
2428.37
250
¥22.9729
5743.225
500
¥20.6677
10333.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.14 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
268 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA40T65SHD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FGA40T65SHD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE 1A, 40V
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.80682
1,000:¥0.50737
5,000:¥0.3842
参考库存:75763
分立半导体
整流器 1A, 1000V 1A, 1000V
1:¥4.1471
10:¥2.3278
100:¥1.2543
500:¥0.99892
2,500:¥0.58421
10,000:查看
参考库存:51139
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W
1:¥10.3734
10:¥8.2942
100:¥6.3506
500:¥5.6048
2,500:¥3.9211
10,000:查看
参考库存:4003
分立半导体
桥式整流器 400V 10A Bridge Rectifier
1:¥10.6785
10:¥9.379
25:¥8.4524
100:¥7.458
参考库存:3825
分立半导体
IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
1:¥34.8831
10:¥29.6625
100:¥25.6623
250:¥24.3628
500:¥21.8203
参考库存:2615
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