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MJD31C1G

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库存：5,089(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.7911
27.911
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
IPAK-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.2 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD31C
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
封装
Tube
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
25
Pd-功率耗散
1.56 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
75
子类别
Transistors
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，MJD31C1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT55C51
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 51 Volt 500mW 5%
10,000:¥0.22261
25,000:¥0.2147
50,000:¥0.18419
100,000:¥0.16159
参考库存:33704
UMZ30KFHTL
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 RECOMMENDED ALT 755-EDZVFHT2R30B
3,000:¥0.3842
参考库存:33707
PD57070S-E
STMicroelectronics
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
400:¥394.3474
参考库存:33710
BZV55C3V9
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 3.9 Volt 500mW 5%
10,000:¥0.1921
25,000:¥0.18419
50,000:¥0.15368
100,000:¥0.13786
参考库存:33713
GBPC4004
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 40A 400V
200:¥18.2834
参考库存:33716
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