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分立半导体
IRF6646TRPBF参考图片

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IRF6646TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 36nC
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数量单价合计
1
¥17.063
17.063
10
¥14.5205
145.205
100
¥11.6051
1160.51
500
¥10.1474
5073.7
4,800
¥7.571
36340.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-MN
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
7.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DirectFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
6.35 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.05 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
SP001564784
商品其它信息
优势价格,IRF6646TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1:¥25.199
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10:¥210.9258
25:¥193.8628
参考库存:23924
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