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分立半导体
DMT6007LFG-7参考图片

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DMT6007LFG-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W
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数量单价合计
1
¥7.458
7.458
10
¥6.3732
63.732
100
¥4.8929
489.29
500
¥4.3279
2163.95
1,000
¥3.4126
3412.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
41.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMT6007
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
9.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.3 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23.4 ns
典型接通延迟时间
5.7 ns
商品其它信息
优势价格,DMT6007LFG-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR New Input Thyristor - TO-247-e3
1:¥53.0196
10:¥43.957
100:¥36.1939
250:¥35.0413
500:¥31.4253
参考库存:4566
分立半导体
整流器 3A 300V ULTRAFAST RECTIF
1:¥16.0573
10:¥13.673
100:¥10.9158
500:¥9.605
2,500:¥7.3563
5,000:查看
参考库存:6568
分立半导体
MOSFET N-Ch 60V 29A DPAK-2
1:¥6.2263
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.26
参考库存:5222
分立半导体
MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch
1:¥13.447
10:¥11.4469
100:¥9.1417
500:¥7.9891
1,000:¥6.6105
参考库存:6446
分立半导体
MOSFET TRANS MOSFET NCH 60V 0.25A 6PIN
1:¥3.2318
10:¥2.6781
100:¥1.6385
1,000:¥1.2656
8,000:¥1.00683
24,000:查看
参考库存:15079
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