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分立半导体
BC846BPDW1T1G参考图片

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BC846BPDW1T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 80V Dual Complementary
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¥1.1413
11.413
100
¥0.47686
47.686
1,000
¥0.32318
323.18
3,000
¥0.25312
759.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-6
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
65 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.6 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC846BPDW1
高度
0.9 mm
长度
2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
150
Pd-功率耗散
380 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格,BC846BPDW1T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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