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分立半导体
IRFR18N15DTRPBF参考图片

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IRFR18N15DTRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 150V 18A 125mOhm 28nC
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数量单价合计
1
¥9.4468
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10
¥8.0682
80.682
100
¥6.2037
620.37
500
¥5.4805
2740.25
1,000
¥4.3279
4327.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
28 nC
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001556822
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRFR18N15DTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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