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分立半导体
RN1130MFV,L3F参考图片

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RN1130MFV,L3F

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
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数量单价合计
1
¥1.695
1.695
10
¥1.06785
10.6785
100
¥0.44522
44.522
1,000
¥0.30736
307.36
8,000
¥0.20001
1600.08
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
100 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-723-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
最大工作频率
250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
Pd-功率耗散
150 mW
最大工作温度
+ 150 C
系列
RN1130MFV
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
商标
Toshiba
通道数量
1 Channel
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
8000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，RN1130MFV,L3F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N970BE3
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
239:¥33.1203
250:¥29.8885
500:¥26.8149
1,000:¥22.5887
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VS-30CTQ045-1-M3
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分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - TO-262-e3
1,000:¥6.2263
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1N979BE3
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
254:¥28.0466
500:¥25.199
1,000:¥21.2101
2,500:¥20.2044
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L6X8E5AP
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双向可控硅 600V .8A
2,000:¥4.2262
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1N4747AE3
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
269:¥26.5098
500:¥23.7413
1,000:¥20.0575
2,500:¥19.0518
参考库存:25922
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