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分立半导体
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NGTB50N60FWG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V/50A IGBT NPT TO-247
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数量单价合计
1
¥48.4092
48.4092
10
¥41.1094
411.094
100
¥35.6515
3565.15
250
¥33.8096
8452.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.45 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
223 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NGTB50N60FWG
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格，NGTB50N60FWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4756A
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 47V 1W
10,000:¥0.66896
24,000:¥0.61472
50,000:¥0.59212
100,000:¥0.56839
参考库存:26992
TS10P05G C2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 10 Amp 600 Volt 200 Amp IFSM
1,200:¥5.3901
3,600:¥4.8816
6,000:¥4.7799
10,800:¥4.3844
参考库存:26995
TSM9409CS
Taiwan Semiconductor
分立半导体
MOSFET 60V N channel MOSFET
5,000:¥1.9549
10,000:¥1.9323
25,000:¥1.8871
参考库存:26998
1N3210R
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 200V 15A REV Leads Std. Recovery
300:¥56.4774
500:¥51.5619
1,000:¥44.8723
参考库存:27001
P25B6EB-5071
Shindengen
分立半导体
MOSFET High Switching Speed
3,000:¥3.8985
9,000:¥3.6612
24,000:¥3.1753
参考库存:27004
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