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分立半导体
SI2323DDS-T1-GE3参考图片

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SI2323DDS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23
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库存:16,923(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.5369
35.369
100
¥2.6329
263.29
500
¥2.1583
1079.15
1,000
¥1.6724
1672.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5.3 A
Rds On-漏源导通电阻
39 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
52 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SI2323DDS-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2
1:¥29.5043
10:¥25.1312
100:¥21.7412
250:¥20.6677
1,000:¥15.594
2,000:查看
参考库存:2070
分立半导体
IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
1:¥82.4448
10:¥75.8456
25:¥72.6929
100:¥64.0032
参考库存:1295
分立半导体
MOSFET 40V Vds 16V Vgs SO-8
1:¥17.2099
10:¥14.2945
100:¥11.0627
500:¥9.7632
1,000:¥8.0682
2,500:¥8.0682
参考库存:4625
分立半导体
MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
1:¥26.4307
10:¥22.4418
100:¥19.436
250:¥18.4416
500:¥16.5206
参考库存:3120
分立半导体
MOSFET MOSFT 100V 11A 100mOhm 22.7nC LogLv
1:¥9.4468
10:¥8.0682
100:¥6.2376
500:¥5.5144
1,000:¥4.3618
参考库存:6499
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