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分立半导体
BSP129H6327XTSA1参考图片

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BSP129H6327XTSA1

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库存:23,916(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.6048
5.6048
10
¥4.6669
46.669
100
¥3.0171
301.71
1,000
¥2.4182
2418.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
240 V
Id-连续漏极电流
350 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
3.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
BSP129
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
180 mS
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
零件号别名
BSP129 H6327 SP001058580
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,BSP129H6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥18.7467
10:¥15.9104
100:¥12.7577
500:¥11.1418
参考库存:3969
分立半导体
MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥10.7576
10:¥9.1417
100:¥7.0738
500:¥6.2602
2,500:¥4.3844
10,000:查看
参考库存:9579
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
1:¥31.1993
10:¥26.5098
100:¥22.9729
250:¥21.8203
参考库存:4298
分立半导体
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.7628
参考库存:6016
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS SOT563 RSTR XSTR TR
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
4,000:¥0.791
参考库存:11102
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