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分立半导体
STGWA40H65DFB参考图片

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STGWA40H65DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
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库存:4,298(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.1993
31.1993
10
¥26.5098
265.098
100
¥22.9729
2297.29
250
¥21.8203
5455.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA40H65DFB
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGWA40H65DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88A DUAL BRT TR
1:¥2.8476
10:¥2.1357
100:¥1.1639
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.75258
9,000:¥0.69947
参考库存:9496
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR SPCL TR
1:¥1.3786
10:¥1.2656
100:¥0.44522
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:21466
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PDTA143XMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:13500
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SOD523 SCHTY BARRIER DIODE
1:¥3.3787
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
8,000:¥0.49155
24,000:查看
参考库存:107502
分立半导体
MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.66105
参考库存:11448
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