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分立半导体
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FQT4N20LTF

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数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8307
38.307
100
¥2.3278
232.78
1,000
¥1.7967
1796.7
4,000
¥1.5368
6147.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
850 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.35 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.8 mm
长度
6.5 mm
系列
FQT4N20L
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
3.5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
1.42 S
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,FQT4N20LTF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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