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分立半导体
SI2308BDS-T1-E3参考图片

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SI2308BDS-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23
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库存:17,649(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.4747
247.47
500
¥2.034
1017
3,000
¥1.4238
4271.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
156 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.66 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
4 ns
零件号别名
SI2308BDS-E3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SI2308BDS-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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9,000:¥0.66896
24,000:¥0.61472
45,000:¥0.59212
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整流器 1.5A, 200V, GLASS PASSIVATED SMA RECTIFIER
3,600:¥0.64523
9,000:¥0.50737
23,400:¥0.45313
48,600:¥0.4068
99,000:¥0.37629
参考库存:23254
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25:¥589.6679
50:¥577.5317
100:¥556.7058
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1:¥4.2262
10:¥2.9945
100:¥1.7854
1,000:¥0.75258
7,500:¥0.52206
22,500:查看
参考库存:23260
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