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分立半导体
IGW40T120参考图片

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IGW40T120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 40A
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库存:2,087(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.1775
47.1775
10
¥42.6462
426.462
25
¥40.6461
1016.1525
100
¥35.2673
3526.73
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
270 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW40T120FKSA1 IGW4T12XK SP000013886
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IGW40T120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
100:¥505.7654
参考库存:27310
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
455:¥15.594
500:¥13.9894
1,000:¥11.752
2,500:¥11.1418
5,000:¥10.2152
参考库存:27313
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥201.5468
250:¥184.9584
500:¥176.0427
参考库存:27316
分立半导体
MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
1:¥9.605
10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.5596
参考库存:27319
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥142.0749
10:¥129.1703
25:¥119.4862
50:¥113.0339
参考库存:27322
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