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分立半导体
IGW40T120参考图片

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IGW40T120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 40A
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库存:2,087(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.1775
47.1775
10
¥42.6462
426.462
25
¥40.6461
1016.1525
100
¥35.2673
3526.73
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
270 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW40T120FKSA1 IGW4T12XK SP000013886
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IGW40T120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1.0 Amp 200 Volt
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.82264
500:¥0.69947
1,800:¥0.42262
3,600:查看
参考库存:40980
分立半导体
肖特基二极管与整流器 650V 10A SIC SBD G EN1.5
1:¥44.7932
10:¥38.0358
100:¥33.0412
250:¥31.3462
2,500:¥22.5096
参考库存:3717
分立半导体
MOSFET 200V Vds 95A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥22.826
10:¥18.9049
100:¥15.594
250:¥15.142
参考库存:9278
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
1:¥1.1526
10:¥1.01474
100:¥0.3616
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.18419
参考库存:478245
分立半导体
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.7854
参考库存:55692
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