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分立半导体
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IPP020N06N

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数量单价合计
1
¥30.4309
30.4309
10
¥25.8205
258.205
100
¥22.3627
2236.27
250
¥21.2101
5302.525
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
124 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
45 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
IPP020N06NAKSA1 IPP2N6NXK SP000917406
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP020N06N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4756A
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 47V 1W
10,000:¥0.66896
24,000:¥0.61472
50,000:¥0.59212
100,000:¥0.56839
参考库存:26992
TS10P05G C2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 10 Amp 600 Volt 200 Amp IFSM
1,200:¥5.3901
3,600:¥4.8816
6,000:¥4.7799
10,800:¥4.3844
参考库存:26995
TSM9409CS
Taiwan Semiconductor
分立半导体
MOSFET 60V N channel MOSFET
5,000:¥1.9549
10,000:¥1.9323
25,000:¥1.8871
参考库存:26998
1N3210R
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 200V 15A REV Leads Std. Recovery
300:¥56.4774
500:¥51.5619
1,000:¥44.8723
参考库存:27001
P25B6EB-5071
Shindengen
分立半导体
MOSFET High Switching Speed
3,000:¥3.8985
9,000:¥3.6612
24,000:¥3.1753
参考库存:27004
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