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分立半导体
IPP020N06N参考图片

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IPP020N06N

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数量单价合计
1
¥30.4309
30.4309
10
¥25.8205
258.205
100
¥22.3627
2236.27
250
¥21.2101
5302.525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
124 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
45 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
IPP020N06NAKSA1 IPP2N6NXK SP000917406
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP020N06N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VR=40V, IO=200mA
1:¥2.7685
10:¥1.8532
100:¥0.83733
1,000:¥0.52997
5,000:¥0.40002
参考库存:5226
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AA
1:¥3.7629
10:¥2.0905
100:¥1.12209
500:¥0.89948
3,000:¥0.52206
9,000:查看
参考库存:8128
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥51.9461
10:¥46.9515
25:¥44.7254
100:¥38.8042
参考库存:3146
分立半导体
稳压二极管 7.5 Volt 500mW 5%
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥1.02943
1,000:¥0.34578
2,500:¥0.28476
参考库存:4881
分立半导体
稳压二极管 5.1 Volt 410mW 2%
1:¥1.8419
10:¥1.6159
100:¥0.91417
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.29154
参考库存:8563
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