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分立半导体
IPP020N06N参考图片

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IPP020N06N

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库存:1,890(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.4309
30.4309
10
¥25.8205
258.205
100
¥22.3627
2236.27
250
¥21.2101
5302.525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
124 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
45 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
IPP020N06NAKSA1 IPP2N6NXK SP000917406
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP020N06N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SOD523
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:7505
分立半导体
MOSFET 30V N & P Comp FET Enh 20Vgss Low Rdson
1:¥4.6895
10:¥3.9437
100:¥2.4069
1,000:¥1.8645
2,500:¥1.582
参考库存:3990
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V 65A 5MOHM
1:¥10.1474
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
1,500:¥4.0906
参考库存:2465
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 40V HIGH GAIN
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
2,000:¥1.4577
参考库存:3631
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3.0 Amp 50 Volt 60 Amp IFSM
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.8984
500:¥1.5594
750:¥1.2091
参考库存:3308
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