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分立半导体

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STGB40V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
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库存:6,079(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.5044
31.5044
10
¥26.7358
267.358
100
¥23.2102
2321.02
250
¥21.9785
5494.625
1,000
¥16.6788
16678.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB40V60F
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,STGB40V60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 8A 45V
1:¥5.0737
10:¥4.2601
100:¥2.7459
1,000:¥2.2035
1,500:¥2.2035
参考库存:15295
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30A 100V 200W PNP
1:¥50.0251
10:¥45.1774
50:¥43.1095
100:¥37.4256
参考库存:3790
分立半导体
肖特基二极管与整流器 schottky diode
1:¥2.9945
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:42351
分立半导体
MOSFET U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET
1:¥7.2998
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
5,000:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:11907
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100V 30A
1:¥17.8314
10:¥15.142
100:¥12.1362
500:¥10.5994
1,000:¥8.8366
参考库存:9277
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