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分立半导体
STW56N65DM2参考图片

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STW56N65DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.052 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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数量单价合计
1
¥76.84
76.84
10
¥69.4611
694.611
25
¥66.2406
1656.015
100
¥57.4718
5747.18
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
48 A
Rds On-漏源导通电阻
58 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STW56N65DM2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
7.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
31 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
157 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW56N65DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BAQ34-GS08
Vishay Semiconductors
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 60 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
1:¥2.6103
10:¥1.7854
100:¥0.87575
500:¥0.7458
2,500:¥0.44522
5,000:查看
参考库存:26696
IRF9Z34STRRPBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET MOSFET P-CHANNEL 60V
1:¥15.8313
10:¥13.221
800:¥13.221
参考库存:3802
CMUT5401 TR
Central Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 160Vcbo 150Vceo 5.0Vebo 600mA 250mW
1:¥3.2996
10:¥2.3843
100:¥1.3673
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:10211
TS420-600H
STMicroelectronics
分立半导体
SCR 4.0 Amp 600 Volt
1:¥9.2999
10:¥7.9891
100:¥6.0907
500:¥5.3788
参考库存:4763
2SC6096-TD-H
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 2A 100V
1:¥4.6104
10:¥3.8533
100:¥2.3391
1,000:¥1.808
2,000:¥1.5481
参考库存:11924
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