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分立半导体
SIA110DJ-T1-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SIA110DJ-T1-GE3

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
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库存:9,368(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥5.8308
58.308
100
¥4.4748
447.48
500
¥3.8533
1926.65
1,000
¥3.0397
3039.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
19 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIA
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格,SIA110DJ-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 600V/50A FAST IGBT FSII T
1:¥49.8669
10:¥42.4202
100:¥36.725
250:¥34.8831
参考库存:1207
分立半导体
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl
1:¥5.9212
10:¥4.9155
100:¥3.164
1,000:¥2.5312
参考库存:3998
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SW TAPE AXIAL
1:¥0.92208
10:¥0.791
100:¥0.28476
1,000:¥0.1921
10,000:¥0.12317
20,000:查看
参考库存:10941
分立半导体
稳压二极管 300mW 3.6V Zener AEC-Q101 Qualified
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:11880
分立半导体
稳压二极管 500mW ZENER
1:¥1.695
10:¥1.13
100:¥0.5537
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:3560
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