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分立半导体
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FGL60N100BNTD

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数量单价合计
375
¥33.6514
12619.275
750
¥30.1936
22645.2
1,125
¥25.4363
28615.8375
2,625
¥24.2046
63537.075
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1000 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
180 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGL60N100BNTD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
26 mm
长度
20 mm
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
60 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 500 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
375
子类别
IGBTs
零件号别名
FGL60N100BNTD_NL
单位重量
6.756 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUK9660-100A,118
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