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分立半导体
2N5210TA参考图片

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2N5210TA

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
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数量单价合计
1
¥2.0001
2.0001
10
¥1.3334
13.334
100
¥0.56048
56.048
1,000
¥0.3842
384.2
2,000
¥0.29945
598.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3 Kinked Lead
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4.5 V
集电极—射极饱和电压
0.7 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N5210
直流电流增益 hFE 最大值
600
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
封装
Ammo Pack
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
2N5210TA_NL
单位重量
240 mg
商品其它信息
优势价格,2N5210TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2
1:¥29.5043
10:¥25.1312
100:¥21.7412
250:¥20.6677
1,000:¥15.594
2,000:查看
参考库存:2070
分立半导体
IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
1:¥82.4448
10:¥75.8456
25:¥72.6929
100:¥64.0032
参考库存:1295
分立半导体
MOSFET 40V Vds 16V Vgs SO-8
1:¥17.2099
10:¥14.2945
100:¥11.0627
500:¥9.7632
1,000:¥8.0682
2,500:¥8.0682
参考库存:4625
分立半导体
MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
1:¥26.4307
10:¥22.4418
100:¥19.436
250:¥18.4416
500:¥16.5206
参考库存:3120
分立半导体
MOSFET MOSFT 100V 11A 100mOhm 22.7nC LogLv
1:¥9.4468
10:¥8.0682
100:¥6.2376
500:¥5.5144
1,000:¥4.3618
参考库存:6499
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