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分立半导体
IRG4PH40UD2-EP参考图片

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IRG4PH40UD2-EP

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz
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数量单价合计
1
¥47.4826
47.4826
10
¥42.8722
428.722
25
¥40.8834
1022.085
100
¥35.5046
3550.46
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.43 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
41 A
Pd-功率耗散
160 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
41 A
高度
20.8 mm
长度
16.1 mm
宽度
5.5 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001533572
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IRG4PH40UD2-EP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STU5NK50Z
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-channel 500 V, 1.22 typ., 4.4 A SuperMESH Power MOSFETs in I PAK, DPAK, TO 220, TO 220FP and IPAK packages
3,000:¥2.5425
12,000:¥2.4521
27,000:¥2.3617
参考库存:28640
1N5248BUR-1E3/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥24.5097
291:¥24.5097
500:¥21.9785
1,000:¥18.5207
2,500:¥17.5941
参考库存:28643
VS-16RIA120M
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR Thyristors - TO48 BRAZ SQR-e3
100:¥129.9387
300:¥118.4127
500:¥110.8078
参考库存:28646
1N5991CE3/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥31.0411
230:¥31.0411
500:¥27.8206
1,000:¥23.5153
2,500:¥22.2836
参考库存:28649
1N647-1E3
Microsemi
分立半导体
整流器
1:¥23.6622
10:¥19.0518
100:¥17.3681
250:¥15.6731
参考库存:28652
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