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分立半导体
IRG4PH40UD2-EP参考图片

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IRG4PH40UD2-EP

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz
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库存:3,269(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.4826
47.4826
10
¥42.8722
428.722
25
¥40.8834
1022.085
100
¥35.5046
3550.46
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.43 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
41 A
Pd-功率耗散
160 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
41 A
高度
20.8 mm
长度
16.1 mm
宽度
5.5 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001533572
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRG4PH40UD2-EP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双向可控硅 TAPE13 3Q TRIAC
1:¥5.0737
10:¥4.0228
100:¥2.5312
1,000:¥1.8984
4,000:¥1.6159
参考库存:19964
分立半导体
MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
参考库存:19967
分立半导体
稳压二极管 Tight Tolerance Zen
3,000:¥0.32318
9,000:¥0.27685
24,000:¥0.26103
45,000:¥0.24634
参考库存:19970
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:19973
分立半导体
稳压二极管 150MW 28V
3,000:¥0.5537
9,000:¥0.49155
24,000:¥0.46104
参考库存:19976
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