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分立半导体
IRG4PH40UD2-EP参考图片

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IRG4PH40UD2-EP

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz
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库存:3,269(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.4826
47.4826
10
¥42.8722
428.722
25
¥40.8834
1022.085
100
¥35.5046
3550.46
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.43 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
41 A
Pd-功率耗散
160 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
41 A
高度
20.8 mm
长度
16.1 mm
宽度
5.5 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001533572
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRG4PH40UD2-EP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 AUTO STANDARD OF MBR
1:¥24.4306
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
800:¥12.9046
2,400:查看
参考库存:3009
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-M3
1:¥3.842
10:¥2.9154
100:¥2.1696
500:¥1.7854
3,000:¥1.2543
6,000:查看
参考库存:32980
分立半导体
MOSFET P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package
1:¥6.4523
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
1,000:¥2.938
3,000:¥2.6103
参考库存:5678
分立半导体
肖特基二极管与整流器 PMEG100V080ELPD/CFP15/REEL 13
1:¥5.1528
10:¥4.2601
100:¥2.7459
1,000:¥2.2035
5,000:¥1.8645
参考库存:26963
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40A, 45V Trench Sky Rect
1:¥9.6841
10:¥7.9891
100:¥6.0907
500:¥5.2319
1,000:¥4.1358
2,000:¥4.1358
参考库存:8072
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