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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Texas Instruments
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VSONP-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Id-连续漏极电流	100 A
Rds On-漏源导通电阻	6.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压	10 V
Qg-栅极电荷	15 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	116 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
商标名	NexFET
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1 mm
长度	5.75 mm
产品	Power MOSFET
系列	CSD18563Q5A
晶体管类型	1 N-Channel Power MOSFET
类型	60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs
宽度	4.9 mm
商标	Texas Instruments
下降时间	1.7 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	6.3 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	11.4 ns
典型接通延迟时间	3.2 ns
单位重量	86 mg

商品其它信息

优势价格，CSD18563Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DTC114TET1G	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V	1:¥1.07576 10:¥0.97632 100:¥0.34578 1,000:¥0.23052 3,000:¥0.17628	参考库存:31306
2SJ661-1E	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES	1:¥15.594 10:¥13.2888 100:¥10.5994 500:¥9.2999	参考库存:2728
2SB1124T-TD-E	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW-SATURATION VOLTAGE	1:¥4.3053 10:¥3.5708 100:¥2.3052 1,000:¥1.8419 2,000:¥1.5594	参考库存:4956
1N5953BRLG	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 150V 3W	1:¥2.8476 10:¥2.1244 100:¥1.1526 1,000:¥0.86784 2,500:¥0.7458 6,000:¥0.69947	参考库存:9677
2SD2707T2LV	ROHM Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A	1:¥2.7685 10:¥2.1131 100:¥1.1413 1,000:¥0.86106 8,000:¥0.69156 24,000:查看	参考库存:10278