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分立半导体
2SC6026MFVGR,L3F参考图片

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2SC6026MFVGR,L3F

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) VESM PLN
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数量单价合计
1
¥1.695
1.695
10
¥1.06785
10.6785
100
¥0.44522
44.522
1,000
¥0.30736
307.36
8,000
¥0.20001
1600.08
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-723-3
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.15 V
最大直流电集电极电流
150 mA
增益带宽产品fT
60 MHz
系列
2SC6026
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
0.5 mm
长度
1.2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
0.8 mm
商标
Toshiba
集电极连续电流
150 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
8000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，2SC6026MFVGR,L3F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF300R17ME3
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 375A
10:¥1,288.4486
30:¥1,270.3912
参考库存:35185
BZX84C7V5
Rectron
分立半导体
稳压二极管 7.5V SOT23 300mW Zen er
15,000:¥0.29945
24,000:¥0.29154
参考库存:35188
IRGS6B60KTRLPBF
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 7AD2PAK
800:¥8.1473
2,400:¥7.571
4,800:¥7.2885
9,600:¥7.0173
参考库存:35191
BZX84C8V2
Rectron
分立半导体
稳压二极管 8.2V SOT23 300mW Zen er
15,000:¥0.29945
24,000:¥0.29154
参考库存:35194
RF201L2STE25
ROHM Semiconductor
分立半导体
整流器 DIODE FAST REVERY 200V 2A
1,500:¥1.1978
参考库存:35197
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