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分立半导体
TK34A10N1,S4X参考图片

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TK34A10N1,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET NCh 8 mOhms VGS10V10uAVDS100V
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数量单价合计
1
¥11.9893
11.9893
10
¥9.605
96.05
100
¥7.684
768.4
500
¥6.7348
3367.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
34 A
Rds On-漏源导通电阻
7.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK34A10N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK34A10N1,S4X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ4625-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 5.1 Volt 0.225W 5%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:54238
RN1109(T5L,F,T)
Toshiba
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
1:¥1.921
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26103
参考库存:54241
MMBZ4697-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 10 Volt 0.225W 5% AUTO
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
3,000:¥0.33787
6,000:查看
参考库存:54244
BZT52-B33X
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 BZT52-B33/SOD123/SOD2
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
参考库存:54247
BZT52C9V1-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 9.1 Volt 0.41W 5% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
3,000:¥0.37629
6,000:查看
参考库存:54250
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