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分立半导体
TK34A10N1,S4X参考图片

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TK34A10N1,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET NCh 8 mOhms VGS10V10uAVDS100V
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库存:2,948(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.9893
11.9893
10
¥9.605
96.05
100
¥7.684
768.4
500
¥6.7348
3367.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
34 A
Rds On-漏源导通电阻
7.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK34A10N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK34A10N1,S4X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 20V Dual N channel MOSFET ESD protected
12,000:¥2.0001
24,000:¥1.9549
参考库存:36290
分立半导体
整流器 0,5A, 100V, SMF FAST RECOVERY
15,000:¥0.46895
22,500:¥0.42262
45,000:¥0.37629
97,500:¥0.35369
参考库存:36293
分立半导体
整流器 SMB GP Rect Gen Purpose Rect
3,500:¥1.5481
10,500:¥1.4916
28,000:¥1.4238
52,500:¥1.4012
参考库存:36296
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Dual Trench schottky 10amp 200v
2,000:¥2.8476
4,000:¥2.7233
参考库存:36299
分立半导体
稳压二极管
7,500:¥0.69947
参考库存:36302
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