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分立半导体
IRF7779L2TRPBF参考图片

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IRF7779L2TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC
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数量单价合计
1
¥37.5725
37.5725
10
¥31.9677
319.677
100
¥27.6624
2766.24
250
¥26.2838
6570.95
4,000
¥18.1365
72546
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-L8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
67 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
97 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DirectFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.74 mm
长度
9.15 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
7.1 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001572314
商品其它信息
优势价格,IRF7779L2TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥734.9746
5:¥712.0017
10:¥689.0288
25:¥656.8238
参考库存:4837
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥112.1864
10:¥101.8921
25:¥94.2872
50:¥89.2135
参考库存:4873
分立半导体
MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
1:¥3.842
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:5276
分立半导体
稳压二极管 500mW 75V 1700 Ohm 0.1 uA 56Vr
1:¥1.695
10:¥1.13
100:¥0.5537
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:12951
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT PNP 60V 0.6A
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:49256
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