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分立半导体
STGWT20IH125DF参考图片

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STGWT20IH125DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
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库存:5,181(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.4252
29.4252
10
¥25.0521
250.521
100
¥21.6734
2167.34
250
¥20.5886
5147.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.25 kV
集电极—射极饱和电压
2.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
259 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT20IH125DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT20IH125DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN DIGITAL TRANSIST
1:¥2.9154
10:¥1.9775
100:¥0.82942
1,000:¥0.56048
3,000:¥0.44522
参考库存:37593
分立半导体
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 1.16W 31A
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.825
参考库存:5230
分立半导体
MOSFET 30V N CH MOSFET
1:¥6.9156
10:¥5.6839
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
2,500:¥2.6781
参考库存:6886
分立半导体
MOSFET PCH 2.5V Power MOSFE
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:10737
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified
1:¥7.9891
10:¥6.5314
100:¥5.0059
500:¥4.3053
1,000:¥3.7855
4,500:¥3.7855
参考库存:7228
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