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分立半导体
BSC22DN20NS3 G参考图片

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BSC22DN20NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 200V 7A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:12,139(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.1416
7.1416
10
¥6.1359
61.359
100
¥4.7121
471.21
500
¥4.1697
2084.85
5,000
¥2.9154
14577
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
194 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
5.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
3.5 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6 ns
典型接通延迟时间
4 ns
零件号别名
BSC22DN20NS3GATMA1 BSC22DN2NS3GXT SP000781778
商品其它信息
优势价格,BSC22DN20NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1A, 400V, SUPER FAST SM RECTIFIER
15,000:¥0.67574
22,500:¥0.61472
45,000:¥0.54579
97,500:¥0.50737
参考库存:24440
分立半导体
整流器 UltraFast 100ns Rect
2,000:¥2.9493
10,000:¥2.8363
25,000:¥2.7459
参考库存:24443
分立半导体
整流器 1A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER
15,000:¥0.66105
22,500:¥0.59212
45,000:¥0.52997
97,500:¥0.49155
参考库存:24446
分立半导体
整流器 1A, 600V SM Super Fast 整流器
12,000:¥0.5989
24,000:¥0.54579
45,000:¥0.52997
参考库存:24449
分立半导体
整流器 8A,200V,GLASS Pass Superfast,Sgl Rect
2,000:¥2.6894
参考库存:24452
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