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射频晶体管
BFP 740ESD H6327参考图片

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BFP 740ESD H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.2996
32.996
100
¥2.0114
201.14
1,000
¥1.5481
1548.1
3,000
¥1.3334
4000.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP740
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.2 V
集电极连续电流
45 mA
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT343-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
400
工作频率
45 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP740ESDH6327XTSA1 BFP74ESDH6327XT SP000785486
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 740ESD H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.2318
10:¥2.4747
100:¥1.3447
1,000:¥1.00683
3,000:¥0.86784
9,000:¥0.81473
参考库存:10520
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans N-Ch 50V 150MHz FET
1:¥823.7248
5:¥808.5828
10:¥772.1629
25:¥746.4215
参考库存:16262
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
1:¥4,072.52
25:¥3,672.952
参考库存:2775
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 100W-28V-500MHz PP
50:¥986.7047
参考库存:16267
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥254.1822
5:¥251.5719
10:¥234.4411
25:¥223.9095
参考库存:16270
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