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射频晶体管

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MMBFJ211

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.3504
23.504
100
¥1.2769
127.69
1,000
¥0.9605
960.5
3,000
¥0.82264
2467.92
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压
- 25 V
Id-连续漏极电流
20 mA
最大漏极/栅极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
225 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
MMBFJ211
类型
JFET
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
0.006 S to 0.012 S
闸/源截止电压
- 4.5 V
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，MMBFJ211的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BLV25
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,224.6714
10:¥1,123.785
25:¥1,008.525
50:¥893.265
参考库存:3438
STAC2933
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 20dB 30MHz STAC N-Ch MOS RF 150MHz
1:¥799.136
5:¥784.3782
10:¥749.1109
25:¥724.1379
参考库存:3481
A2T20H160W04NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H160W04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥658.903
5:¥646.0662
10:¥624.7883
25:¥598.3576
250:¥536.5014
参考库存:16934
MRF148A
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB
1:¥291.6078
10:¥280.5451
参考库存:3627
ARF448BG
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥346.9326
5:¥328.1859
10:¥324.423
25:¥299.9811
参考库存:3467
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