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射频晶体管
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MRF9045LR1

  • Advanced Semiconductor, Inc.
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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数量单价合计
1
¥599.352
599.352
10
¥499.46
4994.6
25
¥449.514
11237.85
50
¥399.568
19978.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4.25 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
18.8 dB
输出功率
60 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-360
封装
Tray
配置
Single
工作频率
945 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
正向跨导 - 最小值
3 S
Pd-功率耗散
117 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
Vgs th-栅源极阈值电压
4.8 V
单位重量
1 g
商品其它信息
优势价格，MRF9045LR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSVF6003SB6T1G
ON Semiconductor
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 0.15A 12V FT=7G
1:¥4.9155
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
3,000:¥2.0905
参考库存:4232
TGF2956
Qorvo
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 55W 32V GaN P3dB @ 3GHz 47.6dBm
暂无价格
参考库存:15164
PXFC191507FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥548.8636
参考库存:15167
BFU610F,115
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Single NPN 15GHz
1:¥3.4578
10:¥2.825
100:¥1.7176
1,000:¥1.3334
3,000:¥1.1413
参考库存:4051
MRF6V14300HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1400MHZ 50V
1:¥2,312.4207
5:¥2,276.8483
10:¥2,242.9596
25:¥2,194.5504
50:¥2,160.8199
参考库存:15172
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