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射频晶体管
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BFT25,215

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS
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数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.6838
36.838
100
¥2.2487
224.87
1,000
¥1.7402
1740.2
3,000
¥1.4803
4440.9
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
6.5 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
8 V
直流电流增益 hFE 最大值
20
高度
1 mm
长度
3 mm
工作频率
2300 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.4 mm
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
2300 MHz
最大直流电集电极电流
10 mA
Pd-功率耗散
30 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
933222700215
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BFT25,215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD55008-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
400:¥88.592
800:¥82.9081
1,200:¥73.9246
参考库存:16301
SD2933-03W
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
50:¥874.1341
100:¥830.4144
参考库存:16304
A2V07H400-04NR3
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V07H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥744.1163
参考库存:16307
QPD2796
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.5-2.7GHz GaN 200W 48V
250:¥648.6878
参考库存:16310
A2V07H525-04NR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V07H525-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
150:¥976.7155
参考库存:16313
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