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射频晶体管
TGF3015-SM参考图片

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TGF3015-SM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
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数量单价合计
1
¥445.672
445.672
25
¥391.884
9797.1
100
¥345.78
34578
250
¥315.044
78761
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17.1 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
557 mA
输出功率
11 W
Pd-功率耗散
15.3 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-EP-16
封装
Tray
配置
Single
工作频率
0.03 GHz to 3 GHz
商标
Qorvo
开发套件
TGF3015-SM-EVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1120419
商品其它信息
优势价格，TGF3015-SM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFU530XRVL
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.9379
20,000:¥0.89157
50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
参考库存:18300
CGHV1F025S
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
暂无价格
参考库存:18303
W2CBW0016 DEV-1
Wi2Wi
射频晶体管
WiFi / 802.11 Development Tools W2CBW0016 Dev Kit without Host
暂无价格
参考库存:18306
MRFE6VP6300GSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1.8-600 MHz 300 W 50 V
50:¥733.9802
100:¥682.6443
参考库存:18309
BFP 740 H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.842
10:¥3.2092
100:¥1.9549
1,000:¥1.5142
3,000:¥1.2882
参考库存:6290
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