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射频晶体管
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QPD1010

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
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数量单价合计
1
¥157.9062
157.9062
25
¥136.5492
3413.73
100
¥118.1076
11810.76
250
¥109.8812
27470.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
24.7 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
400 mA
输出功率
11 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
13.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Waffle
配置
Single
工作频率
4 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1010-EVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
零件号别名
1132873
单位重量
2.300 g
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFU550XVL
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
10,000:¥1.04525
参考库存:12493
A2T18S260W12NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥1,369.2097
参考库存:15996
CGH40045F
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
1:¥1,281.8494
参考库存:2617
MMRF5014H-200MHZ
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5014H-200MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:16001
ASMA101
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 50 Ohm
1:¥391.884
10:¥359.6112
25:¥322.728
50:¥285.8448
100:¥238.8933
参考库存:16004
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