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射频晶体管
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MRF951

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库存:3,608(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.578
34.578
10
¥28.8941
288.941
25
¥25.9674
649.185
50
¥23.052
1152.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
10 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.5 V
集电极连续电流
100 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Macro-X
封装
Tray
工作频率
2 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MRF951的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
1:¥1,037.34
25:¥899.028
100:¥776.084
参考库存:2005
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T08VD021N/HQFN24///REEL 13 Q2 DP
1,000:¥95.0556
参考库存:15475
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.3787
10:¥2.5764
100:¥1.4012
1,000:¥1.05316
3,000:¥0.90626
9,000:¥0.84524
参考库存:10977
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-500MHz SE
50:¥495.1547
100:¥489.4708
参考库存:15480
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
1:¥751.111
5:¥689.2548
10:¥618.562
25:¥547.8692
参考库存:15483
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