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射频晶体管
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T2G6001528-SG

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
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库存:3,327(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥812.583
812.583
25
¥733.3587
18333.9675
100
¥661.8184
66181.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
5 A
输出功率
17 W
Pd-功率耗散
28 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
6 GHz
系列
T2G
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1113256
商品其它信息
优势价格,T2G6001528-SG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T27S007N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
1,000:¥46.33
2,000:¥44.6463
参考库存:16150
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS TRANSIS 915MHz, 350W CW,50V
250:¥1,475.6331
参考库存:16153
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
1,000:¥9.379
2,000:¥8.6784
5,000:¥8.3733
10,000:¥8.0682
参考库存:16156
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
1:¥1,525.5791
2:¥1,488.8541
5:¥1,473.0228
10:¥1,451.8918
参考库存:16159
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4
1:¥478.0239
5:¥464.0345
10:¥454.1244
25:¥435.0726
250:¥385.7368
参考库存:16162
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