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射频晶体管
T2G6001528-SG参考图片

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T2G6001528-SG

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
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库存:3,327(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥812.583
812.583
25
¥733.3587
18333.9675
100
¥661.8184
66181.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
5 A
输出功率
17 W
Pd-功率耗散
28 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
6 GHz
系列
T2G
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1113256
商品其它信息
优势价格,T2G6001528-SG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-CH -25V 10mA BULK Engineering Hold
5,000:¥2.4182
10,000:¥2.3278
25,000:¥2.2374
参考库存:16451
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
1:¥3,673.9464
2:¥3,371.355
5:¥3,025.575
10:¥2,420.46
25:¥2,334.015
参考库存:16454
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
1:¥345.78
25:¥307.36
100:¥268.94
250:¥245.888
参考库存:3062
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5017HS-1GHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:16459
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
90:¥1,071.3078
参考库存:16462
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