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射频晶体管

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NESG3032M14-EVNF24

  • Renesas Electronics
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 Silicon Germanium Amp and Oscillator
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
类型
RF Silicon Germanium
商标
Renesas Electronics
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,NESG3032M14-EVNF24的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET TO-272N
500:¥145.996
参考库存:17840
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500:¥451.2768
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2A 7W 16V
1:¥23.1311
10:¥18.6676
100:¥14.9047
500:¥13.0628
1,000:¥10.8367
参考库存:4798
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann
1:¥126.6278
10:¥116.4917
25:¥111.644
100:¥98.3552
参考库存:17848
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT27S012N/PLD4L///REEL 7 Q1 DP
1:¥126.0967
10:¥115.9493
25:¥111.192
100:¥97.971
1,000:¥79.9136
参考库存:17851
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