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射频晶体管
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PTVA123501EC-V2-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
50
¥3,941.1236
197056.18
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
150 mA
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
增益
17 dB
输出功率
350 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
H-36248-2
封装
Reel
工作频率
1200 MHz to 1400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3.35 V
商品其它信息
优势价格，PTVA123501EC-V2-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF6VP3091NR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W
1:¥837.782
5:¥821.4987
10:¥794.3674
25:¥760.7951
50:¥750.3426
参考库存:16786
BFP182WH6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:5698
MRF6S20010GNR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W
1:¥297.4499
5:¥282.387
10:¥277.5506
25:¥251.5719
500:¥214.6096
参考库存:3472
NESG7030M04-EV58-A
Renesas Electronics
射频晶体管
射频开发工具 NF .75dB Gain 14dB Eval Brd for 5.8GHz
暂无价格
参考库存:16793
AFT18S290-13SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S
250:¥908.1697
参考库存:16796
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