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射频晶体管
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BLW77

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数量单价合计
1
¥737.664
737.664
10
¥614.72
6147.2
25
¥553.248
13831.2
50
¥491.776
24588.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
12 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
SOT-123
封装
Tray
工作频率
28 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
最大直流电集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
245 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TLC6C5724EVM
Texas Instruments
射频晶体管
LED 照明开发工具 TLC6C5724EVM
1:¥1,392.1826
参考库存:2105
MDS1100
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
25:¥5,811.4092
参考库存:15601
MRF171
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥353.464
10:¥306.9758
25:¥288.5342
50:¥267.7874
100:¥253.8771
参考库存:2114
D1034UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 80W-28V-400MHz PP
50:¥655.287
100:¥649.9082
参考库存:15606
AFT20P140-4WGNR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V
250:¥484.0129
参考库存:15609
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